瑞波光電推出新型3W 808nm半導體激光芯片
發布時間：2020-04-17
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【中國.深圳】日前，大功率半導體激光芯片制造商—深圳瑞波光電子有限公司宣布推出新型3W 808nm半導體激光芯片，該芯片主要用于醫療美容、激光照明、自由空間光通信等領域。
新款3W 808nm半導體激光芯片型號為RB-808A-150-3-1-SE，發光條寬為150μm，腔長1mm，光電轉換效率60%，使用壽命可達10000小時以上。另外該芯片也采用了新型外延結構設計和材料外延，先進的非泵浦窗設計和制備技術以及干濕法腐蝕結合自對準工藝技術，控制條寬的一致性，特別保證大批量生產下的高成品率，降低激光芯片成本。同時新技術的采用大大提高的耐高溫特性，使之可以在環境溫度60℃甚至更高溫的情況下連續工作。
新款3W 808nm半導體激光芯片型號為RB-808A-150-3-1-SE，發光條寬為150μm，腔長1mm，光電轉換效率60%，使用壽命可達10000小時以上。另外該芯片也采用了新型外延結構設計和材料外延，先進的非泵浦窗設計和制備技術以及干濕法腐蝕結合自對準工藝技術，控制條寬的一致性，特別保證大批量生產下的高成品率，降低激光芯片成本。同時新技術的采用大大提高的耐高溫特性，使之可以在環境溫度60℃甚至更高溫的情況下連續工作。
3W 808nm芯片的PIV曲線
該芯片可適用C-MOUNT、TO56、TO3等封裝形式。目前已經批量上市，除了3W產品外，瑞波也正向市場供應6W/8W/10W 808nm芯片以及CW 50W 808nm Bar、QCW 300W 808nm Bar等產品，歡迎有興趣的朋友前來咨詢和評估。
關于瑞波光電
深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學研究院、國內外技術專家共同創辦的從事大功率半導體激光器芯片研發和生產的高科技企業，擁有從半導體激光芯片外延設計、材料、制造工藝，到芯片封裝、表征測試等全套核心技術，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導體激光芯片，封裝模塊及測試表征設備，并可提供研發咨詢服務。
公司芯片產品形式包括單管芯片（single-emitter）和bar條，功率從瓦級到數百瓦級，波長覆蓋可見光到近紅外波段，波長包含635nm、755nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，輸出功率均達到國內領先水平，可代替進口高端激光芯片；封裝產品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)等；表征測試設備種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機、Full-bar 綜合性能測試機、COS綜合性能測試機、半導體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機、大功率半導體激光芯片器件老化/壽命測試機等。
公司產品廣泛應用于工業加工、醫療美容、光通信、激光顯示、激光測距、科研等領域。公司的發展目標是填補中國在大功率半導體激光器芯片領域的空白，成為世界一流的半導體激光器供應商，為我國現代化生產和科學研究做出貢獻。
光即理，致未來！更多信息請登錄瑞波光電官方網站：http://www.fxtie.net.cn
深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學研究院、國內外技術專家共同創辦的從事大功率半導體激光器芯片研發和生產的高科技企業，擁有從半導體激光芯片外延設計、材料、制造工藝，到芯片封裝、表征測試等全套核心技術，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導體激光芯片，封裝模塊及測試表征設備，并可提供研發咨詢服務。
公司芯片產品形式包括單管芯片（single-emitter）和bar條，功率從瓦級到數百瓦級，波長覆蓋可見光到近紅外波段，波長包含635nm、755nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，輸出功率均達到國內領先水平，可代替進口高端激光芯片；封裝產品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)等；表征測試設備種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機、Full-bar 綜合性能測試機、COS綜合性能測試機、半導體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機、大功率半導體激光芯片器件老化/壽命測試機等。
公司產品廣泛應用于工業加工、醫療美容、光通信、激光顯示、激光測距、科研等領域。公司的發展目標是填補中國在大功率半導體激光器芯片領域的空白，成為世界一流的半導體激光器供應商，為我國現代化生產和科學研究做出貢獻。
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