瑞波光電將攜核心產品參展2018武漢光博會
發布時間：2018-11-05
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第十五屆“中國光谷”國際光電子博覽會暨論壇（即武漢光博會）將于11月14日至16日在光谷科技會展中心舉辦。本屆光博會以“光聯萬物，智引未來”為主題，著力打造全球光電子領域前沿成果的集中展示平臺，作為國內領先的大功率半導體激光芯片專業制造商-深圳瑞波光電子有限公司也將參展此次盛會，展會現場展示核心的大功率半導體激光芯片及測試設備產品線，展位號：A107-108。
瑞波光電一直注重新產品的開發和應用，本次展會期間展示的產品包括了針對工業加工、醫療美容、激光雷達、科研應用的四大系列芯片以及完整的半導體激光表征測試和老化設備。
在面向工業加工中光纖激光器和固體激光器泵浦方面，瑞波除了展示10W-15W9XXnm系列芯片和8XXnm系列芯片，今年還新推出面向精細加工的808nm QCW 300W半導體激光器巴條。
針對當前熱門的激光雷達市場，深圳瑞波光電子有限公司開發出了25W，50W，75W級905nm 脈沖式半導體激光芯片，產品具有低電壓、高效率、長壽命、高可靠性等特點，主要應用到無人駕駛、無人機、機器人等激光測距雷達上，同時支持塑料封裝或TO封裝。
在醫療美容方面，瑞波光電除了1470nm、1550nm芯片外，也開發了755nm、780nm的新品，其中755nm被認為是最佳的脫毛波長，而瑞波光電新開發的755nm激光芯片，發光條寬350um，腔長2.5mm，工作功率可達到8W，光電轉換效率50%，工作電壓1.9V。（根據單管芯片測試數據得到。單管芯片測試時，以 COS（Chip On Submount）封裝形式，COS 測試溫度為 25℃，熱阻為 2~3 K/W。）---這是目前市場上性能最為強悍的755nm芯片。
另外，在激光顯示方面，瑞波光電也將展示新研制的單量子阱張力應變增益、發光條寬105μm的GaInP 638nm激光芯片。單管發射激光器的最大輸出功率大于2W。可靠性測試表明，這些激光器在1W輸出功率下具有很高的可靠性，模塊功率高達8.6W。
除了單管芯片外，瑞波光電還將展示多款激光bar條，包括808nm CW 100W、808 QCW 300W、915-940-976nm CW 200W、940nm QCW 600W等。
瑞波光電基于在芯片設計、制造、測試的技術沉淀，為了更好的滿足半導體激光器生產廠家在表征測試、老化及可靠性測試等方面的需求，從實際使用者的角度，針對半導體激光器制作過程的關鍵環節推出成系列、自動化程度高的表征測試設備。包括： Full bar測試機、單管bar測試機、COS測試機、器件壽命/燒測測試機、模塊測試機等。
這些檢測設備對瑞波光電提升產品性能，保障可靠性和壽命方面起到非常重要的作用。這些設備，具備極佳的實用性和高性價比，除瑞波自己產線使用外，在下游客戶和芯片同行也普遍采用，大大提升了整個行業的測試和質量管控水平，促進了行業的發展。
我們非常期待能在本次光博會上結識各種應用領域的專業客戶，讓瑞波光電研制的大功率半導體激光芯片和測試設備更多更好地服務行業和產業，光即理，致未來！
關于瑞波光電
深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學研究院、國內外技術專家共同創辦的從事大功率半導體激光器芯片研發和生產的高科技企業，擁有從半導體激光芯片外延設計、材料、制造工藝，到芯片封裝、表征測試等全套核心技術，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導體激光芯片，封裝模塊及測試表征設備，并可提供研發咨詢服務。
公司芯片產品形式包括單管芯片（single-emitter）和bar條，功率從瓦級到數百瓦級，波長覆蓋可見光到近紅外波段，波長包含635nm、755nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，輸出功率均達到國內領先水平，可代替進口高端激光芯片；封裝產品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)和CCP等；表征測試設備種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機、Full-bar 綜合性能測試機、COS綜合性能測試機、半導體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機、大功率半導體激光芯片器件老化/壽命測試機等。
公司產品廣泛應用于工業加工、醫療美容、光通信、激光顯示、激光測距、科研等領域。公司的發展目標是填補中國在大功率半導體激光器芯片領域的空白，成為世界一流的半導體激光器供應商，為我國現代化生產和科學研究做出貢獻。
更多信息請登錄瑞波光電官方網站：http://www.fxtie.net.cn
