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瑞波光電半導(dǎo)體激光芯片綜合性能測(cè)試裝備開(kāi)發(fā)通過(guò)驗(yàn)收
發(fā)布時(shí)間:2018-04-28
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 目前,中國(guó)每年的芯片進(jìn)口額約為2200億美元。據(jù)普華永道會(huì)計(jì)師事務(wù)所稱(chēng),在全球銷(xiāo)售的芯片當(dāng)中有59%被中國(guó)購(gòu)買(mǎi),但國(guó)內(nèi)制造商僅占到這個(gè)行業(yè)全球銷(xiāo)售收入的16.2%。最近美國(guó)宣布對(duì)中興通訊進(jìn)行長(zhǎng)達(dá)7年的制裁警醒我們,必須減少對(duì)進(jìn)口芯片的依賴(lài),因?yàn)楸∪醯男酒袠I(yè)可能會(huì)削弱國(guó)家安全,并阻礙正在蓬勃發(fā)展的科技行業(yè)。

    《中國(guó)制造2025》的報(bào)告里面提出要求,到2020年中國(guó)芯片自給率要達(dá)到40%,2025年要達(dá)到50%,“十三五”以來(lái),隨著中國(guó)制造2025、互聯(lián)網(wǎng)+等國(guó)家戰(zhàn)略出臺(tái)和新一代信息技術(shù)迅猛發(fā)展,我國(guó)光電子器件產(chǎn)業(yè)也迎來(lái)了獲得了重大發(fā)展機(jī)遇,但相關(guān)基礎(chǔ)研發(fā)薄弱、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力不強(qiáng)、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡情況依然存在,核心高端光電子器件(例如激光芯片)水平相對(duì)滯后已成為制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。

    近年來(lái),隨著激光技術(shù)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)對(duì)激光產(chǎn)業(yè)上游芯片產(chǎn)品的需求量劇增,國(guó)際商業(yè)市場(chǎng)上對(duì)半導(dǎo)體激光芯片(不含封裝好的模塊)的年需求超過(guò)20 億美元,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)激光芯片的年需求超過(guò)20 億人民幣。然而國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)的激光芯片產(chǎn)品不能滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求,大部分高功率及光通信用芯片幾乎完全依賴(lài)進(jìn)口。一方面由于芯片關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)掌握在國(guó)外部分企業(yè)手中,國(guó)內(nèi)生產(chǎn)技術(shù)與國(guó)際相比存在一定差距;另一方面,芯片生產(chǎn)過(guò)程中缺乏對(duì)未封裝的芯片進(jìn)行檢測(cè)的先進(jìn)技術(shù),無(wú)法保證芯片產(chǎn)品的批量化生產(chǎn)。

    目前,大功率半導(dǎo)體激光芯片主要是由西方發(fā)達(dá)國(guó)家的幾家公司所壟斷,如美國(guó)的lumentum、nLight、IPG、Coherent,德國(guó)的Dilas、Jenoptic、Osram等。國(guó)內(nèi)激光芯片高漲的市場(chǎng)需求,推動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展,各科研院所及部分激光企業(yè)不斷對(duì)芯片生產(chǎn)工藝進(jìn)行研究創(chuàng)新,逐步縮小與世界先進(jìn)水平的差距。隨著芯片技術(shù)的進(jìn)步,芯片生產(chǎn)工藝水平提高,產(chǎn)品的集成度也越來(lái)越高。為了確保功能和成品率的有效測(cè)試,半導(dǎo)體激光芯片生產(chǎn)企業(yè)及封裝廠商都在尋求高精度、低測(cè)試成本的方法,并積極開(kāi)發(fā)高自動(dòng)化、高集成的測(cè)試設(shè)備。國(guó)內(nèi)相關(guān)測(cè)試設(shè)備基本為空白,少有的設(shè)備制造商生產(chǎn)的此類(lèi)設(shè)備為手工操作,機(jī)械化程度低,效率低下。國(guó)內(nèi)科研院所及企業(yè)所需求的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備基本全部依靠進(jìn)口,以致芯片的檢測(cè)成為眾多芯片生產(chǎn)企業(yè)的產(chǎn)能瓶頸。進(jìn)口的設(shè)備雖基本能夠滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)企業(yè)芯片產(chǎn)品的測(cè)試需要,但由于國(guó)外的專(zhuān)業(yè)設(shè)備公司對(duì)激光芯片的制造流程和工藝并不熟悉,因此生產(chǎn)的設(shè)備使用起來(lái)非常不便;進(jìn)口的設(shè)備還具有價(jià)格昂貴,測(cè)試功能單一的特點(diǎn),目前海外大型激光芯片制造公司在測(cè)量手段方面投入非常大的人力和資源,通過(guò)自行開(kāi)發(fā)測(cè)試設(shè)備,可滿(mǎn)足其科研和生產(chǎn)的需要,但是由于不同的公司要保護(hù)商業(yè)秘密彼此間沒(méi)有配合,其測(cè)試設(shè)備缺乏行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)而且不對(duì)外銷(xiāo)售,國(guó)外并沒(méi)有形成成熟的激光芯片測(cè)試設(shè)備產(chǎn)業(yè)。因此,在整個(gè)行業(yè)的層面上來(lái)看,迫切需要通用型的檢測(cè)設(shè)備,對(duì)芯片的重要技術(shù)參數(shù)實(shí)現(xiàn)全方面的、快速和準(zhǔn)確的檢測(cè)與分析。

    深圳瑞波光電子有限公司作為國(guó)內(nèi)極少數(shù)專(zhuān)注于高端半導(dǎo)體激光器芯片開(kāi)發(fā)的新創(chuàng)企業(yè),經(jīng)過(guò)多年的艱辛研發(fā)和可靠性測(cè)試,已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出808nm、880nm、9××nm、905nm、1470nm等單管和Bar條產(chǎn)品,并開(kāi)始批量生產(chǎn)走向市場(chǎng),實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代。

    此外,瑞波光電基于在芯片設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試的技術(shù)沉淀,為了更好的滿(mǎn)足半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)廠家在表征測(cè)試、老化及可靠性測(cè)試等方面的需求,從實(shí)際用戶(hù)的使用者角度,針對(duì)半導(dǎo)體激光器制作過(guò)程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)開(kāi)發(fā)出了成系列、自動(dòng)化程度高的表征測(cè)試設(shè)備,積累了豐富的設(shè)備開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

    在此大背景下,為了解決芯片綜合測(cè)試難題,瑞波光電于2015年向深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)申報(bào)了研制“半導(dǎo)體激光芯片綜合性能測(cè)試裝備”的科技計(jì)劃項(xiàng)目(編號(hào)CXZZ20150401154444740),計(jì)劃研制半導(dǎo)體激光芯片綜合性能測(cè)試設(shè)備,涵蓋了激光芯片巴條測(cè)試機(jī)的所有測(cè)試能力,而且自動(dòng)化程度更高、速度更快、功能齊備、性能優(yōu)良、價(jià)格合理,可實(shí)現(xiàn)對(duì)未切割、未封裝的半導(dǎo)體激光芯片裸巴條自動(dòng)的、全方位的測(cè)試,而且增加高低溫度下的測(cè)量和光譜SMSR的測(cè)量,同時(shí)增加對(duì)不良芯片打標(biāo)的功能。

    經(jīng)過(guò)2年的開(kāi)發(fā),深圳科技創(chuàng)新委員會(huì)組織專(zhuān)家于2017年12月25日對(duì)項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收。并于2018年04月25日發(fā)布了關(guān)于2018年第1批科技計(jì)劃項(xiàng)目驗(yàn)收結(jié)果的公示,結(jié)果顯示瑞波光電開(kāi)發(fā)的半導(dǎo)體激光芯片綜合性能測(cè)試設(shè)備成功通過(guò)驗(yàn)收。

     瑞波光電開(kāi)發(fā)的Bar條綜合性能測(cè)試機(jī)


    瑞波光電開(kāi)發(fā)的Bar條綜合性能測(cè)試機(jī)實(shí)現(xiàn)了如下關(guān)鍵指標(biāo):
  • ? 對(duì)未封裝的裸巴條上的獨(dú)立管芯做全面表征測(cè)試

  • ? 在特殊設(shè)計(jì)的脈沖電流或者CW模式下取得PIV曲線、光譜特性和遠(yuǎn)場(chǎng)特性,能有效反映封裝后單個(gè)管芯的光電特性

  • ? 高速測(cè)量能力: 500數(shù)據(jù)點(diǎn)PIV只需要1秒, 自動(dòng)化程度高

  • ? 電流范圍寬:標(biāo)準(zhǔn)電流范圍0-5A(可配置到0-0.5A, 0-10A)

  • ? 電流波形選擇寬: 5微秒脈沖寬度到連續(xù)電流

  • ? 電壓范圍寬:最大驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到20V

  • ? 功率范圍大:標(biāo)準(zhǔn)功率檢測(cè)范圍0-5W(可配置到0-0.5W, 0-20W)

  • ? 波長(zhǎng)范圍寬: 適應(yīng)于測(cè)試GaN、GaAs、InP等材料體系的激光裸巴條,波長(zhǎng)范圍400-1700nm


    專(zhuān)家表示,這款設(shè)備的成功開(kāi)發(fā),不僅可以促進(jìn)激光芯片的批量化生產(chǎn),更加有利于建立深圳乃至中國(guó)半導(dǎo)體激光芯片測(cè)試裝備的標(biāo)準(zhǔn)化和產(chǎn)業(yè)化。

    深圳瑞波光電子有限公司總經(jīng)理胡海博士表示,這是一款設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、用于全面檢測(cè)和分析光芯片綜合性能的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備,除了瑞波自用外,目前已經(jīng)開(kāi)始大批量供應(yīng)給激光器企業(yè)和科研單位,獲得廣泛的市場(chǎng)好評(píng)。


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